Formation of FeSi and FeSi2 films from cis-Fe(SiCl3)2(CO)4 by MOCVD -precursor versus substrate control

• المؤلفون الرئيسيون: Zybill, C.E., Huang, W.
• مؤلفون آخرون: CHEMISTRY
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Deposition mechanism; DFT; Iron silicides; MOCVD; UPS
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/93845

Inorganica Chimica Acta