AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N+ and N+ 2 ion implantation

10.1016/S0042-207X(96)00220-5

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書目詳細資料
Main Authors: Pan, J.S., Wee, A.T.S., Huan, C.H.A., Tan, H.S., Tan, K.L.
其他作者: PHYSICS
格式: Article
出版: 2014
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/95738
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機構: National University of Singapore