AES analysis of silicon nitride formation by 10 keV N+ and N+ 2 ion implantation

• المؤلفون الرئيسيون: Pan, J.S., Wee, A.T.S., Huan, C.H.A., Tan, H.S., Tan, K.L.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/95738

10.1016/S0042-207X(96)00220-5