Analysis of high-power devices using proton beam induced currents

• المؤلفون الرئيسيون: Zmeck, M., Osipowicz, T., Watt, F., Niedernostheide, F., Schulze, H.-J., Fiege, G.B.M., Balk, L.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/95772

Microelectronics Reliability