COMPUTER CONTROLLED SYSTEM FOR TRANSIENT CAPACITANCE MEASUREMENTS OF DEEP LEVELS IN SEMICONDUCTOR.
10.1109/19.2670
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Woon, H.S., Tan, H.S., Ng, S.C. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | PHYSICS |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96055 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
COMPUTER CONTROLLED TRANSIENT CAPACITANCE MEASUREMENT AND ANALYSIS OF DEEP LEVELS IN SEMICONDUCTORS
بواسطة: WU ZONGMIN
منشور في: (2020) -
Transient capacitance measurements of laser radiation-induced defects in silicon
بواسطة: Tan, H.S., وآخرون
منشور في: (2014) -
Theory of non-radiative capture of carriers by multiphonon processes for deep centres in semiconductors
بواسطة: Zheng, J.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Charge-state effects of deep centres in semiconductors on non-radiative capture of carriers by multiphonon processes
بواسطة: Kang, Y.Q., وآخرون
منشور في: (2014) -
On several correlation integrals of the deep level transients
بواسطة: Hoang, Nam Nhat, وآخرون
منشور في: (2017)