Evaluation of the silicon capping technique in SIMS

• المؤلفون الرئيسيون: Ng, C.M., Wee, A.T.S., Huan, C.H.A., Ho, C.S., Yakovlev, N., See, A.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: B; Si; SIMS; Ultrashallow
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96528

10.1002/sia.1443