Hydrogen silsesquioxane a next generation resist for proton beam writing at the 20 nm level

• المؤلفون الرئيسيون: van Kan, J.A., Bettiol, A.A., Watt, F.
• مؤلفون آخرون: PHYSICS
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Direct write; High aspect ratio; Proton beam writing
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/96852

10.1016/j.nimb.2007.02.051