Role of low temperature rapid thermal annealing in post-laser-annealed p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistor

10.1063/1.2354446

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ong, K.K., Pey, K.L., Lee, P.S., Wee, A.T.S., Wang, X.C., Tung, C.H., Tang, L.J., Chong, Y.F.
مؤلفون آخرون: PHYSICS
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/97835
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!