Tight-binding simulation of core impact on structural and optical properties of InN/GaN core/shell nanocrystals
The atomistic tight-binding simulation on InN/GaN core/shell nanocrystals is mainly reported with the objective to understand the influence of the core sizes on the structural and optical properties. Computed by tight-binding theory, the single-particle spectra, excitonic states, atomistic character...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Worasak Sukkabot |
---|---|
التنسيق: | บทความวารสาร |
اللغة: | English |
منشور في: |
Science Faculty of Chiang Mai University
2019
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://it.science.cmu.ac.th/ejournal/dl.php?journal_id=8991 http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/64102 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Atomistic tight-binding theory of CdSe wurtzite nanocrystals
بواسطة: Akkaratch Sukerm, وآخرون
منشور في: (2019) -
Valence band parameters for wurtzite GaN and InN
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014) -
On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Kyaw, Zabu, وآخرون
منشور في: (2014) -
InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with a grading InN composition suppressing the Auger recombination
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2015) -
Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
بواسطة: Sun, Xiaowei, وآخرون
منشور في: (2013)