FABRIKASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS A-SIC:H DAN DEVAIS SEL SURYA A-SIC:H/A-SI:H DENGAN METODE PECVD
<b></i>Abstract :</b><i><p align=\"justify\"> <br /> Characterization of thin film a-SiC:H, device p-i-n a-Si:H/ a-SiC:H solar cells and a-SiC:H/ a-Si:H tandem solar cells have been prepared by PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method. C...
Saved in:
Main Author: | U R S A L, M |
---|---|
Format: | Theses |
Language: | Indonesia |
Subjects: | |
Online Access: | https://digilib.itb.ac.id/gdl/view/4598 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Institution: | Institut Teknologi Bandung |
Language: | Indonesia |
Similar Items
-
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS A-SI:H DENGAN METODA HW-PECVD DAN APLIKASINYA PADA TRANSISTOR LAPISAN TIPIS
by: Ahda, Syahfandi -
Deposisi dan karakterisasi lapisan tipis a-Si:H (Deposition and characterization of a-Si:H thin films)
by: , ANAS, Muhammad, et al.
Published: (1995) -
FABRIKASI FOTORESEPTOR BERBASIS LAPISAN IPIS A-SI:H DAN PADUANNYA DENGAN REAKTOR PECVD GANDA
by: Kade Suardana, I -
KONSTRUKSI ALAT METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (MOCVD) DAN ANALIS STRUKTUR LAPISAN TIPIS ZNO YANG DITUMBUHKANNYA
by: FransSangian, Hanny -
PENGARUH LAPISAN PENYANGGA PRBA2CU3O7-? PADA FILM TIPIS SUPERKONDUKTOR YBA2CU3O7-?
by: Saragih (NIM : 20296506), Horasdia