D-band surface-wave modulator and signal source with 40 dB extinction ratio and 3.7 mW output power in 65 nm CMOS
High extinction ratio (ER) modulator and high output power source are demonstrated in 65 nm CMOS by generating the surface-wave at D-band. By introducing sub-wavelength periodic corrugation structure, surface plasmon polariton (SPP) is established to propagate TM-mode signal with strongly localized...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liang, Yuan, Yu, Hao, Boon, Chirn Chye, Li, Chenyang, Kissinger, Dietmar, Wang, Yong |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2020
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/138354 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
A 0.013-mm2 0.53-mW/Gb/s 32-Gb/s hybrid analog equalizer under 21-dB channel loss in 65-nm CMOS
بواسطة: Balachandran, Arya, وآخرون
منشور في: (2020) -
A crosstalk-immune sub-THz All-surface-wave I/O transceiver in 65-nm CMOS
بواسطة: Liang, Yuan, وآخرون
منشور في: (2020) -
A W-band switch-less Dicke receiver for millimeter-wave imaging in 65nm CMOS
بواسطة: Feng, Guangyin, وآخرون
منشور في: (2018) -
Design of a wideband variable-gain amplifier with self-compensated transistor for accurate dB-linear characteristic in 65 nm CMOS technology
بواسطة: Kong, Lingshan, وآخرون
منشور في: (2020) -
Compact switched-capacitor power detector with frequency compensation in 65-nm CMOS
بواسطة: Li, Chenyang, وآخرون
منشور في: (2020)