Growth and fabrication of carbon-based three-dimensional heterostructure in through-silicon vias (TSVs) for 3D interconnects
Carbon nanomaterials such as graphene and carbon nanotubes (CNTs) have recently received much attention as potential materials proposed for integration in the future semiconductor technologies because of the advantageous properties particularly in thermal and electrical conductivities. Among them, t...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2021
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/151178 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |