High-performance GE/GESN photodetectors in near- and mid-infrared range
Demand for Near- (NIR) and Mid-infrared (MIR) range detection has increased drastically for practical applications in optical sensing, imaging, and communications. Silicon (Si)-based photonic integrated circuits (PICs) have drawn attraction for such applications with cost-effectiveness, low power co...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Son, Bongkwon |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Tan Chuan Seng |
التنسيق: | Thesis-Doctor of Philosophy |
اللغة: | English |
منشور في: |
Nanyang Technological University
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/155659 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Metal-semiconductor-metal GeSn photodetectors on silicon for short-wave infrared applications
بواسطة: Ghosh, Soumava, وآخرون
منشور في: (2020) -
Tensile strained direct bandgap GeSn microbridges enabled in GeSn-on-insulator substrates with residual tensile strain
بواسطة: Burt, Daniel, وآخرون
منشور في: (2023) -
Broadband absorption enhancement for InAsSb-based mid-infrared photodetectors
بواسطة: Wang, Weilin
منشور في: (2020) -
Strain-relaxed GeSn-on-insulator (GeSnOI) microdisks
بواسطة: Burt, Daniel, وآخرون
منشور في: (2022) -
High-performance GeSn photodetector and fin field-effect transistor (FinFET) on an advanced GeSn-on-insulator platform
بواسطة: Wang, Wei, وآخرون
منشور في: (2019)