Nanoscale strained-Si/SiGe and double-gate MOSFET modeling

• المؤلف الرئيسي: Karthik Chandrasekaran
• مؤلفون آخرون: Subhash Chander Ruatagi
• التنسيق: Theses and Dissertations
• منشور في: 2010
• الموضوعات: DRNTU::Engineering::Electrical and electronic engineering::Electronic circuits
• الوصول للمادة أونلاين: https://hdl.handle.net/10356/39174

192 p.