Fabrication and characterization of mesoporous dielectric materials for ULSI interconnect applications

With the miniaturization of semiconductor devices, new dielectric materials with dielectric constant (k) lower than silicon dioxide (k = 4.0) are required to reduce propagation delay, cross talk noise and power dissipation of the interconnect system in ultra-large-scale integrated circuits (ULSI). T...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Yu, Suzhu
مؤلفون آخرون: Hu Xiao
التنسيق: Theses and Dissertations
منشور في: 2008
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/3931
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!