Lateral black phosphorene P–N junctions formed via chemical doping for high performance near-infrared photodetector
Black phosphorene (BP), a newly discovered elemental two-dimensional material, is attractive for optoelectronic and photonic applications because of its unique in-plane anisotropy, thickness-dependent direct bandgap and high carrier mobility. Since its discovery, black phosphorene has become an appe...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Zhang, Shengli, Zeng, Haibo, Wang, Qi Jie, Yu, Xuechao |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2016
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/80381 http://hdl.handle.net/10220/40502 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Electronic structure of graphene– and BN–supported phosphorene
بواسطة: Kistanov, Andrey A., وآخرون
منشور في: (2019) -
BLACK PHOSPHORUS TUNNELING TRANSISTOR
بواسطة: SALAMAT BURZHUEV
منشور في: (2021) -
DEVELOPMENT OF BLACK PHOSPHORUS PHOTODETECTORS AND ELECTRO-OPTIC MODULATORS FOR MID-INFRARED
بواسطة: HUANG LI
منشور في: (2019) -
Large frequency change with thickness in interlayer breathing mode — significant interlayer interactions in few layer black phosphorus
بواسطة: Luo, Xin, وآخرون
منشور في: (2020) -
Fabrication and Characterization of Germanium Photodetectors
بواسطة: WANG JIAN
منشور في: (2011)