Impact of Subthreshold Carrier Statistics on the Low-Frequency Noise in MOSFETs
Low-frequency noise analysis is being used as a method to understand the nature of carrier transport in new material-based devices and to improve the sensitivity of sensors operating in the subthreshold regime. In this paper, we show that the (gm/Id)2 method used in carrier number fluctuation based...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Ajaykumar, Arjun, Zhou, Xing, Chiah, Siau Beh, Syamal, Binit |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2018
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/88219 http://hdl.handle.net/10220/44615 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Fluctuation solution theory of pure fluids
بواسطة: Ploetz, Elizabeth A., وآخرون
منشور في: (2017) -
Affect spin, entrepreneurs' well-being, and venture goal progress: The moderating role of goal orientation
بواسطة: Uy, Marilyn Ang, وآخرون
منشور في: (2017) -
Fluctuotaxis: nanoscale directional motion away from regions of fluctuation
بواسطة: Chen, Yang, وآخرون
منشور في: (2024) -
A New Interpretation for the Anomalous Channel-Length Dependence of Low-Frequency Noise in Quasi-Ballistic Transistors
بواسطة: Ajaykumar, Arjun, وآخرون
منشور في: (2018) -
Bubble formation at multiple orifices-bubbling synchronicity and frequency
بواسطة: Xie, S., وآخرون
منشور في: (2014)