Impact of Subthreshold Carrier Statistics on the Low-Frequency Noise in MOSFETs

Low-frequency noise analysis is being used as a method to understand the nature of carrier transport in new material-based devices and to improve the sensitivity of sensors operating in the subthreshold regime. In this paper, we show that the (gm/Id)2 method used in carrier number fluctuation based...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Ajaykumar, Arjun, Zhou, Xing, Chiah, Siau Beh, Syamal, Binit
مؤلفون آخرون: School of Electrical and Electronic Engineering
التنسيق: مقال
اللغة:English
منشور في: 2018
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://hdl.handle.net/10356/88219
http://hdl.handle.net/10220/44615
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة