Size-suppressed dielectrics of Ge nanocrystals : skin-deep quantum entrapment
Although the dielectric behavior of nanostructured semiconductors has been intensively investigated, the physics behind observations remains disputed with possible mechanisms such as quantum confinement and dangling bond polarization. Here we show that theoretical reproduction of the measured dielec...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Goh, Eunice S. M., Yang, H. Y., Liu, Y., Chen, Tupei, Sun, Changqing |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2013
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/97507 http://hdl.handle.net/10220/10695 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Antimonene nanoribbon band-gap expansion : bond contraction and edge quantum entrapment
بواسطة: Wang, Sanmei, وآخرون
منشور في: (2020) -
Stress tuning of Ge nanocrystals embedded in dielectrics
بواسطة: Zheng, F., وآخرون
منشور في: (2014) -
Coordination-resolved local bond contraction and electron binding-energy entrapment of Si atomic clusters and solid skins
بواسطة: Sun, Changqing, وآخرون
منشور في: (2014) -
Factors affecting Ge nanocrystal size in co-sputtered Ge+SiO2 films
بواسطة: Choi, W.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Ge nanocrystals in lanthanide-based Lu2O3 high-k dielectric for nonvolatile memory applications
بواسطة: Seng, H. L., وآخرون
منشور في: (2012)