Stability of Al2O3 and Al2O3/a- SiNx:H stacks for surface passivation of crystalline silicon

Stability of Al2O3 and Al2O3/a- SiNx:H stacks for surface passivation of crystalline silicon

10.1063/1.3264572

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: Dingemans, G., Engelhart, P., Seguin, R., Einsele, F., Hoex, B., Van De Sanden, M.C.M., Kessels, W.M.M.
مؤلفون آخرون: SOLAR ENERGY RESEARCH INST OF S'PORE
التنسيق: مقال
منشور في: 2014
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/113251
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore

مواد مشابهة

مواد مشابهة