Stress-Memorized HZO for High-Performance Ferroelectric Field-Effect Memtransistor

10.1021/acsaelm.1c01321

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Tsai Shih-Hao, Fang Zihang, WANG XINGHUA, UMESH CHAND, Chun-Kuei Chen, SONU DEVI, SIVAN MAHESWARI, JIEMING PAN, Evgeny Zamburg, THEAN VOON YEW, AARON
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL AND COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
اللغة:	English
منشور في:	2022
الوصول للمادة أونلاين:	https://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/224436
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة