Process flow for a performance enhanced MOSFET with self-aligned, recessed channel

US6391720

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون: SNEELAL, SNEEDHARAN PILLAI, POH, FRANCIS YOUG WEE, LEE, JAMES YONG MENG, SEE, ALEX, LAU, C. K., SAMUDRA, GANESH SHANKAR
مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق: Patent
منشور في: 2012
الوصول للمادة أونلاين:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/32609
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة: National University of Singapore