Process flow for a performance enhanced MOSFET with self-aligned, recessed channel
US6391720
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | , , , , , |
---|---|
مؤلفون آخرون: | |
التنسيق: | Patent |
منشور في: |
2012
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/32609 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |