Monitoring Oxide Quality Using the Spread of the dC/dV Peak in Scanning Capacitance Microscopy Measurements

• المؤلفون الرئيسيون: Chim, W.K., Wong, K.M., Yeow, Y.T., Hong, Y.D., Lei, Y., Teo, L.W., Choi, W.K.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Interface trap; Oxide quality; Scanning capacitance microscopy (SCM); Semiconductor dopant extraction
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/50983

10.1109/LED.2003.817390