Effect of high temperature and interface treatments on photoluminescence from InGaN/GaN multiple quantum wells with green light emissions
10.1063/1.1597990
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Liu, W., Chua, S.J., Zhang, X.H., Zhang, J. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/55746 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Optical transitions in InGaN/GaN quantum wells: Effects of the piezoelectric field
بواسطة: Zhang, X.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Investigation of V-defects formation in InGaN/GaN multiple quantum well grown on sapphire
بواسطة: Yong, A.M., وآخرون
منشور في: (2014) -
Structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nano-air-bridged GaN template
بواسطة: Zang, K.Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
بواسطة: Ju, Zhen Gang, وآخرون
منشور في: (2016) -
Absorption recovery time reduction in InGaN/GaN quantum well saturable absorbers
بواسطة: Lin, F., وآخرون
منشور في: (2014)