Widely tunable work function TaN/Ru stacking layer on HfLaO gate dielectric

10.1109/LED.2007.911608

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Wang, X.P., Li, M.-F., Yu, H.Y., Yang, J.J., Chen, J.D., Zhu, C.X., Du, A.Y., Loh, W.Y., Biesemans, S., Chin, A., Lo, G.Q., Kwong, D.-L.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	CMOS Fermi level pinning HfLaO High-κ dielectric Interdiffusion Metal gate Work function
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/57820
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

الوصف
الملخص:	10.1109/LED.2007.911608

مواد مشابهة