Observation of MOSFET degradation due to electrical stressing through gate-to-source and gate-to-drain capacitance measurement

• المؤلفون الرئيسيون: Yeow, Y.T., Ling, C.H., Ah, L.K.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/62510

Electron device letters