Plasma etching optimization of oxide/nitride/oxide interpoly dielectric breakdown time in flash memory devices

10.1109/66.857949

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書目詳細資料
Main Authors: Cha, C.L., Chor, E.F., Gong, H., Zhang, A.Q., Chan, L.
其他作者: ELECTRICAL ENGINEERING
格式: Article
出版: 2014
主題:
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/80991
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