Correlation between gate induced drain leakage and plasma induced interface traps

• المؤلفون الرئيسيون: Siguang, M., Yaohui, Z., Li, M.F., Li, W., Wang, J.L.F., Yen, A.C., Sheng, G.T.T.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81393
• المؤسسة: National University of Singapore

Materials Research Society Symposium - Proceedings