Theoretical comparison of 0.78% tensile strained InGaAs/InAlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum-well lasers emitting at 1.55 μm
Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Khoo, Hong Khai, Chua, Soo Jin |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL ENGINEERING |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
منشور في: |
2014
|
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/81777 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
THEORETICAL COMPARISON OF TENSILE STRAINED InGaAs/InAlGaAs AND InGaAs/InGaAsP QW LASERS EMITTING AT 1.55 ?M
بواسطة: KHOO HONG KHAI
منشور في: (2020) -
Tensile strained InGaAs/AlGaInAs MQW laser emitting at 1.55 μm
بواسطة: Khoo, H.K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Study of quantum phenomena in intermixed GaAs/AlGaAs and InGaAs/InGaAsP quantum well structures
بواسطة: Au Yeung, Tin Cheung.
منشور في: (2008) -
Pd-InGaAs as a new self-aligned contact material on InGaAs
بواسطة: Kong, E.Y.-J., وآخرون
منشور في: (2014) -
Growth of GaAs/AlGaAs quantum well lasers and GaAs/InGaAs vertical cavity surface emitting lasers by MBE
بواسطة: Li, Chaoyong.
منشور في: (2009)