Device physics and characteristics of graphene nanoribbon tunneling FETs
10.1109/TED.2010.2065809
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Chin, S.-K., Seah, D., Lam, K.-T., Samudra, G.S., Liang, G. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82148 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Device performance of graphene nanoribbon field effect transistors with edge roughness effects: A computational study
بواسطة: Leong, Z.-Y., وآخرون
منشور في: (2014) -
Quantum transport simulations of graphene nanoribbon devices using dirac equation calibrated with tight-binding π-bond model
بواسطة: Chin, S.-K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Quantum transport simulations of graphene nanoribbon devices using dirac equation calibrated with tight-binding π-bond model
بواسطة: Chin, S.-K., وآخرون
منشور في: (2014) -
Computational study of double-gate graphene nano-ribbon transistors
بواسطة: Liang, G., وآخرون
منشور في: (2014) -
First-principles study of heat transport properties of graphene nanoribbons
بواسطة: Tan, Z.W., وآخرون
منشور في: (2014)