Electrical transport properties of polycrystalline CVD graphene on SiO 2/Si substrate
10.1016/j.diamond.2014.03.003
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Kumari, A., Prasad, N., Bhatnagar, P.K., Mathur, P.C., Yadav, A.K., Tomy, C.V., Bhatia, C.S. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING |
التنسيق: | مقال |
منشور في: |
2014
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82254 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | National University of Singapore |
مواد مشابهة
-
Concentric dopant segregation in CVD-grown N-doped graphene single crystals
بواسطة: Lin, Jinjun, وآخرون
منشور في: (2019) -
Trap generation in CVD SiO2 subjected to 253.7nm ultraviolet irradiation
بواسطة: Ling, C.H., وآخرون
منشور في: (2014) -
Reconfiguring nucleation for CVD growth of twisted bilayer MoS2 with a wide range of twist angles
بواسطة: Xu, Manzhang, وآخرون
منشور في: (2024) -
One-step sintering process for the production of magnetocaloric La(Fe,Si)₁₃-based composites
بواسطة: Zhong, Xi-Chun, وآخرون
منشور في: (2023) -
Characterization and reliability of dual high-k gate dielectric stack (poly-Si-HfO2-SiO2) prepared by in situ RTCVD process for system-on-chip applications
بواسطة: Lee, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)