Modeling study of the impact of surface roughness on silicon and germanium UTB MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Low, T., Li, M.-F., Samudra, G., Yeo, Y.-C., Zhu, C., Chin, A., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Germanium; Mobility; Silicon; Surface roughness; Ultrathin-body (UTB) MOSFETs
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/82712

10.1109/TED.2005.857188