Spacer removal technique for boosting strain in n-channel FinFETs with silicon-carbon source and drain stressors

• المؤلفون الرئيسيون: Liow, T.-Y., Tan, K.-M., Lee, R.T.P., Zhu, M., Hoe, K.-M., Samudra, G.S., Balasubramanian, N., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: FinFET; Multiple-gate transistor (MuGFET); Silicon-carbon; Spacerless; Strain; Stress
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83041
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/LED.2007.910779