Strained-SOI n-channel transistor with silicon-carbon source/drain regions for carrier transport enhancement

10.1109/LED.2006.881083

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Chui, K.-J., Ang, K.-W., Chin, H.-C., Shen, C., Wong, L.-Y., Tung, C.-H., Balasubramanian, N., Li, M.F., Samudra, G.S., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الموضوعات:	nMOSFET Silicon-carbon Tensile-strained
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83088
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة