Tuning effective metal gate work function by a novel gate dielectric HfLaO for nMOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Wang, X.P., Li, M.-F., Ren, C., Yu, X.F., Shen, C., Ma, H.H., Chin, A., Zhu, C.X., Ning, J., Yu, M.B., Kwong, D.-L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: مقال
• منشور في: 2014
• الموضوعات: HfLaO; High-κ dielectric; Metal gate; MOSFET
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83224

10.1109/LED.2005.859950