Bias temperature instability (BTI) characteristics of graphene Field-Effect Transistors

• المؤلفون الرئيسيون: Liu, B., Yang, M., Zhan, C., Yang, Y., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83512
• المؤسسة: National University of Singapore

10.1109/VTSA.2011.5872215