CoInGaAs as a novel self-aligned metallic source/drain material for implant-less In 0.53Ga 0.47As n-MOSFETs

• المؤلفون الرئيسيون: Ivana, Kong, E.Y.-J., Subramanian, S., Zhou, Q., Pan, J., Yeo, Y.-C.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الموضوعات: Cobalt; Contact metallization; InGaAs; Self-aligned
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83555

10.1016/j.sse.2012.05.030