Direct trim etching process of Si/SiO2 gate stacks using 193 nm ArF patterns

• المؤلفون الرئيسيون: Tan, K.M., Yoo, W.J., Ma, H.H.H., Li, F., Chan, L.
• مؤلفون آخرون: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83634

10.1116/1.1690258