Direct trim etching process of Si/SiO2 gate stacks using 193 nm ArF patterns

10.1116/1.1690258

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書目詳細資料
Main Authors: Tan, K.M., Yoo, W.J., Ma, H.H.H., Li, F., Chan, L.
其他作者: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
格式: Conference or Workshop Item
出版: 2014
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83634
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