Enhanced stability of Ni monosilicide on MOSFETs poly-Si gate stack

10.1016/S0167-9317(01)00592-5

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Lee, P.S., Mangelinck, D., Pey, K.L., Ding, J., Chi, D.Z., Osipowicz, T., Dai, J.Y., See, A.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	Layer inversion LPCVD Ni silicidation Ni(Pt)Si RTCVD
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83704
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة