Enhancement of TFET performance using Dopant Profile-Steepening Implant and source dopant concentration engineering at tunneling junction

10.1109/SNW.2010.5562594

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Han, G., Yee, Y.S., Guo, P., Yang, Y., Fan, L., Zhan, C., Yeo, Y.-C.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/83706
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة