Sims depth profiling analysis of Cu/Ta/SiO2 interfacial diffusion at different annealing temperature

International Journal of Modern Physics B

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書目詳細資料
Main Authors: Liu, L., Gong, H., Wang, Y., Wee, A.T.S., Liu, R.
其他作者: ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
格式: Conference or Workshop Item
出版: 2014
在線閱讀:http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84185
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機構: National University of Singapore