Structural analysis of metalorganic chemical vapor deposited AIN nucleation layers on Si (1 1 1)

10.1016/j.jcrysgro.2004.04.083

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Zang, K.Y., Wang, L.S., Chua, S.J., Thompson, C.V.
مؤلفون آخرون:	ELECTRICAL & COMPUTER ENGINEERING
التنسيق:	Conference or Workshop Item
منشور في:	2014
الموضوعات:	A1. Atomic force microscopy A1. Transmission electron microscopy B1. AlN B1. GaN
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/84238
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة