Modeling and simulation of the influence of SOI structure on damage evolution and ultra-shallow junction formed by Ge preamorphization implants and solid phase epitaxial regrowth

• المؤلفون الرئيسيون: Mok, K.R.C., Colombeau, B., Jaraiz, M., Castrillo, P., Rubio, J.E., Pinacho, R., Srinivasan, M.P., Benistant, F., Martin-Bragado, I., Hamilton, J.J.
• مؤلفون آخرون: CHEMICAL & BIOMOLECULAR ENGINEERING
• التنسيق: Conference or Workshop Item
• منشور في: 2014
• الوصول للمادة أونلاين: http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/90621
• المؤسسة: National University of Singapore

Materials Research Society Symposium Proceedings