Channeling contrast microscopy of GaN and InGaN thin films

Channeling contrast microscopy of GaN and InGaN thin films

10.1016/S0168-583X(99)00336-5

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلفون الرئيسيون:	Osipowicz, T., Chiam, S.Y., Watt, F., Li, G., Chua, S.J.
مؤلفون آخرون:	PHYSICS
التنسيق:	مقال
منشور في:	2014
الوصول للمادة أونلاين:	http://scholarbank.nus.edu.sg/handle/10635/95945
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
المؤسسة:	National University of Singapore

مواد مشابهة

Channeling contrast microscopy on lateral epitaxial overgrown GaN
بواسطة: Teo, E.J., وآخرون
منشور في: (2014)

2 MeV proton channeling contrast microscopy of LEO GaN thin film structures
بواسطة: Osipowicz, T., وآخرون
منشور في: (2014)

Channeling contrast microscopy of epitaxial lateral overgrowth of ZnO/GaN films
بواسطة: Zhou, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Incorporation of self assembled In-rich InGaN nanostructure to achieve redshift in InGaN/GaN heterostructures
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Kyaw, Zabu, وآخرون
منشور في: (2014)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Zhang, Xueliang, وآخرون
منشور في: (2014)

Deep level centers in InGaN/GaN heterostructure grown on sapphire and free-standing GaN
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Characterization of graded InGaN/GaN epilayers grown on sapphire
بواسطة: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2014)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer
بواسطة: Sun, Xiaowei, وآخرون
منشور في: (2013)

Improved InGaN/GaN light-emitting diodes with a p-GaN/n-GaN/p-GaN/n-GaN/p-GaN current-spreading layer : errata
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

The study of piezoelectric effect in wurtzite GaN/InGaN/AlGaN multilayer structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Strain relaxation in graded InGaN/GaN epilayers grown on sapphire
بواسطة: Song, T.L., وآخرون
منشور في: (2014)

Structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on nano-air-bridged GaN template
بواسطة: Zang, K.Y., وآخرون
منشور في: (2014)

Optical transitions in InGaN/GaN quantum wells: Effects of the piezoelectric field
بواسطة: Zhang, X.H., وآخرون
منشور في: (2014)

Absorption recovery time reduction in InGaN/GaN quantum well saturable absorbers
بواسطة: Lin, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Reduction of V-pit and threading dislocation density in InGaN/GaN heterostructures grown on cracked AlGaN templates
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Quantum dots excited InGaN/GaN phosphor-free white LEDs
بواسطة: Chua, S.J., وآخرون
منشور في: (2014)

Stoichiometric and structural alterations in GaN thin films during annealling
بواسطة: Rana, M.A., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of V-defects formation in InGaN/GaN multiple quantum well grown on sapphire
بواسطة: Yong, A.M., وآخرون
منشور في: (2014)

A hole modulator for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2015)

A hole accelerator for InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2014)

Photovoltaic spectroscopic study of GaN epilayers and InGaN quantum well structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Photovoltaic spectroscopic study of GaN epilayers and InGaN quantum well structures
بواسطة: Liu, W., وآخرون
منشور في: (2014)

Piezoelectric Franz-Keldysh effect in a GaN/InGaN/AlGaN multilayer structure
بواسطة: Hou, Yong Tian, وآخرون
منشور في: (2014)

Advantages of the Blue InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with an AlGaN/GaN/AlGaN Quantum Well Structured Electron Blocking Layer
بواسطة: Ju, Zhen Gang, وآخرون
منشور في: (2016)

InGaN multiple quantum wells grown on ELO GaN templates and the optical properties characterization
بواسطة: Zhou, H., وآخرون
منشور في: (2014)

Threading dislocations annihilation in regrown GaN film on nanoporous GaN template
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Efficiency boosting by thermal harvesting in InGaN/GaN light-emitting diodes
بواسطة: Lu, Shunpeng, وآخرون
منشور في: (2022)

InGaN/GaN light-emitting diode with a polarization tunnel junction
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

PN-type quantum barrier for InGaN/GaN light emitting diodes
بواسطة: Zhang, Zi-Hui, وآخرون
منشور في: (2013)

Characterization and fabrication of InGaN/GaN MQWs and LEDs on macroporous Si substrate
بواسطة: Dang, Dominic Thor Weng
منشور في: (2011)

InGaN/GaN QWs on tetrahedral structures grown on graphene/SiC
بواسطة: Bosch, Julien, وآخرون
منشور في: (2023)

Demonstration and control of the fast-absorption recovery times of the InGaN/GaN quantum well saturable absorbers
بواسطة: Lin, F., وآخرون
منشور في: (2014)

Enhanced optical performance of amber emitting quantum dots incorporated InGaN/GaN light-emitting diodes with growth on UV-enhanced electrochemically etched nanoporous GaN
بواسطة: Soh, C.B., وآخرون
منشور في: (2014)

Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices
بواسطة: Ju J., وآخرون
منشور في: (2020)

Study on InGaN/GaN quantum structures and their applications in semiconductor saturable absorber mirror
بواسطة: LIN FEN
منشور في: (2010)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Teo, Y. C., وآخرون
منشور في: (2013)

Analysis of optical gain and threshold current density of wurtzite InGaN/GaN/AlGaN quantum well lasers
بواسطة: Yeo, Y.C., وآخرون
منشور في: (2014)

Investigation of p-type depletion doping for InGaN/GaN-based light-emitting diodes
بواسطة: Zhang, Yiping, وآخرون
منشور في: (2017)

InGaN/GaN light-emitting diodes : from modeling to their hybrid applications with novel nanomaterials
بواسطة: Hasanov, Namig
منشور في: (2017)