Pressure-Induced Formation of Quaternary Compound and In−N Distribution in InGaAsN Zincblende from Ab Initio Calculation
© 2019 The Authors. Published by Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA. We present the effects of In−N distribution and high pressure on the zincblende phase (0–5 GPa) of In x Ga 1−x As 0.963 N 0.037 (x=0.074, 0.111 and 0.148). Structural, electronic, and optical properties are analyzed, and it is...
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | دورية |
| منشور في: |
2019
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://www.scopus.com/inward/record.uri?partnerID=HzOxMe3b&scp=85063615771&origin=inward http://cmuir.cmu.ac.th/jspui/handle/6653943832/65493 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|