Online condition monitoring of IGBT modules using voltage change rate identification
As insulated gate bipolar transistors (IGBTs) have gained an important status in a wide range of applications, reliability, and availability of these units are of paramount importance to meet stringent requirements spelled in aviation and industrial standards. Reliability of a power converter is mai...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Pou, Josep, Mohamed Sathik, Mohamed Halick, Prasanth, S., Sasongko, Firman |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Electrical and Electronic Engineering |
التنسيق: | مقال |
اللغة: | English |
منشور في: |
2019
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/107569 http://hdl.handle.net/10220/50316 http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2018.07.040 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Trench oxide interface states & BTI reliability in IGBT device
بواسطة: Sim, Zhi Lin,, وآخرون
منشور في: (2025) -
Comparative analysis of IGBT parameters variation under different accelerated aging tests
بواسطة: Sathik, Mohamed Halick Mohamed, وآخرون
منشور في: (2021) -
Health monitoring, lifetimes estimation, and thermal management of IGBT-based power converters
بواسطة: Mohamed Halick Mohamed Sathik
منشور في: (2017) -
MODULATION OF VOLTAGE-GATED CALCIUM CHANNEL BY A SYNAPTIC PROTEIN AND GANGLIOSIDE
بواسطة: LIN QINGSHU
منشور في: (2015) -
Composite step-graded collector of InP/InGaAs/lnP DHBT for minimised carrier blocking
بواسطة: Chor, E.F., وآخرون
منشور في: (2014)