2 微米GaSb 基被动锁模激光器重复频率变化的研究 = Repetition frequency variation of a 2 μm GaSb-based passively mode-locked laser

• Main Authors: 李翔 Li, Xiang, 汪宏 Wang, Hong, 乔忠良 Qiao, Zhongliang, 张宇 Zhang, Yu, 牛智川 Niu, Zhichuan, 佟存柱 Tong, Cunzhu, 刘重阳 Liu, Chongyang
• Other Authors: School of Electrical and Electronic Engineering
• Format: Article
• Language: Chinese
• Published: 2021
• Subjects: Engineering::Electrical and electronic engineering::Optics, optoelectronics, photonics; 半导体锁模激光器 Mode-Locked Semiconductor Lasers; 重复频率 Repetition Frequency; GaSb基材料 GaSb-Based Material System; 2 μm波段 2 μm Wavelength Band
• Online Access: https://hdl.handle.net/10356/147471
• Institution: Nanyang Technological University

半导体锁模激光器产生的高重复频率的光脉冲序列在众多领域都有着广泛的应用，而对于绝大多数应用，一个固定而准确的重复频率是必须的。由于此种激光器的重复频率主要由激光器波导的有效折射率和腔长来确定，激光器制成以及解理时的不确定性就可能会给其重复频率带来偏差。为了弄清此种激光器的各种工作条件会怎样影响其重复频率从而对上述的偏差进行补偿，设计并制成了一种2 μm GaSb基单量子阱锁模激光器。激光器采用两段式结构（增益区，饱和吸收体区）并可以在高达60 ℃实现稳定的锁模工作模式。系统地记录了此激光器重复频率随偏置条件（增益区电流，饱和吸收体区电压）以及工作温度的变化规律，并且对产生这些变化的原因进行了分...