Characterization of oxide interface charges in trench field stop IGBT
Oxide interface charges is an important factor to be assessed in technology development especially for a trench-gated power device. The plasma reactive ion etching process is used to form highly vertical trenches whereby the oxide-silicon interface is often saturated by large amount of oxide interfa...
محفوظ في:
المؤلفون الرئيسيون: | Sim, Zhi Lin, Chin, Wei Mien, Bong, Yi Xiang, Goh, David Eng Hui, Ngwan, Voon Cheng |
---|---|
مؤلفون آخرون: | School of Materials Science and Engineering |
التنسيق: | Conference or Workshop Item |
اللغة: | English |
منشور في: |
2024
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://hdl.handle.net/10356/175647 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
المؤسسة: | Nanyang Technological University |
اللغة: | English |
مواد مشابهة
-
Comprehensive BTI reliability study on trench field-stop IGBT under different applications
بواسطة: Sim, Zhi Lin
منشور في: (2024) -
Trench oxide interface states & BTI reliability in IGBT device
بواسطة: Sim, Zhi Lin,, وآخرون
منشور في: (2025) -
Reduction of high-speed train-induced building vibrations by protective trenches
بواسطة: Sun, W., وآخرون
منشور في: (2014) -
CHARGE GENERATION AND CHARGE DISSIPATION AT INTERFACES OF MATTER
بواسطة: AO CHI KIT
منشور في: (2023) -
Queues and artificial potential trenches for multirobot formations
بواسطة: Ge, S.S., وآخرون
منشور في: (2014)