Laser annealing of oxide capped Si/Ni nanowire
Laser annealing of semiconductor nanowires has opened new possibilities for crystal growth, alloying and novel structure in the rapid miniaturization of microelectronics. The use of laser processing techniques offers a unique control of the heat flow into the material. Different beam delivery system...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Lin, Juncheng. |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Pey Kin Leong |
التنسيق: | Final Year Project |
اللغة: | English |
منشور في: |
2009
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/17824 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Poly-si nanowire based thin film transistors
بواسطة: Le, Tien Thanh
منشور في: (2015) -
Thermal annealing effect on the band gap and dielectric functions of silicon nanocrystals embedded in SiO2 matrix
بواسطة: Ding, Liang, وآخرون
منشور في: (2010) -
Influence of Si nanocrystal distributed in the gate oxide on the MOS capacitance
بواسطة: Zhao, P., وآخرون
منشور في: (2010) -
Compact modeling of gate-all-around silicon nanowire MOSFETs
بواسطة: Lin Shihuan
منشور في: (2012) -
Influence of Si-nanocrystal distribution in the oxide on the charging behavior of MOS structures
بواسطة: Tseng, Ampere A., وآخرون
منشور في: (2010)