Size, composition and thermal induced band gap changing of nanostructured semiconductors
A nanostructure semiconductor can be divided into three groups such as group-IV from elemental, III-V and II-VI from compound materials. The band gap energy changes effectively if a function of temperature changes because the crystal lattice expansion and the inter-atomic bonds are weakened. A weake...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | Final Year Project |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2010
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | http://hdl.handle.net/10356/20749 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
| المؤسسة: | Nanyang Technological University |
| اللغة: | English |